SUBBAB 7.11 Design
[menuju akhir]
Saat gate diberi tegangan 0 volt maka depletion layer pada sambungan P-N pada pada kedua sisi tidak mengembang atau tipis sehingga arus dapat melintas dari drain ke source dengan mudah sehingga dapat mengalirkan arus. Semakin besar tegangan negatif pada terminal gate maka depletion layer semakin lebar hingga maksimum dimana akan menutupi atau menghalangi jalur arus dari drain ke source sehingga tidak akan ada arus yang mengalir pada drain atau JFET bisa dikatakan pada kondisi off.
Struktur N-Channel Mosfet atau disebut dengan NMOS terdiri dari subtract tipe P dengan daerah Source dan drain deberi difusi N+. Diantara daerah source dan drain terdapat sebuah celah sempit dari subtract P yang di sebut dengan channel yang di tutupi oleh isolator yang terbuat dari SiO2.
[menuju awal]
1.Pendahuluan[Back]
Proses desain adalah fungsi dari area aplikasi, tingkat amplifikasi yang diinginkan, kekuatan sinyal, dan kondisi operasi. Langkah pertama biasanya adalah menetapkan dc yang tepat tingkat operasi.
Sebagai contoh, jika tingkat VD dan ID ditentukan oleh jaringan pada Gambar, tingkat VGSQ dapat ditentukan dari plot kurva transfer dan Rs kemudian dapat ditentukan dari VGS = ID.RS. Jika VDD ditentukan, tingkat RD kemudian dapat dihitung dari RD (VDD - VD) / ID. Tentu saja, nilai RS dan RD mungkin bukan nilai komersial standar, yang mengharuskan penggunaan nilai komersial terdekat. Namun, dengan toleransi (kisaran nilai) yang biasanya ditentukan untuk parameter jaringan, sedikit variasi karena pilihan nilai standar jarang menimbulkan kekhawatiran nyata dalam proses desain.
Di atas hanyalah satu kemungkinan untuk fase desain yang melibatkan jaringan pada Gambar. Ada kemungkinan bahwa hanya VDD dan RD yang ditentukan bersama dengan tingkat VDS. Perangkat yang akan digunakan mungkin harus ditentukan bersama dengan tingkat RS. Tampaknya logis bahwa perangkat yang dipilih harus memiliki VDS maksimum yang lebih besar dari nilai yang ditentukan dengan margin aman.
2.Tujuan[Back]
- Untuk menyelesaikan tugas mata kuliah elektronika yang ditugaskan oleh Bapak Darwinson, M.T.
- Memahami dan mempelajari tentang materi design.
- Mempelajari cara mencari hambatan yang tidak diketahui yang dilengkapi JFET N-Chanel
- Mempelajari cara mencari hambatan yang tidak diketahui yang dilengkapi MOSFET N-Chanel
3.Alat dan Bahan[Back]
1. Resistor
Resistor adalah komponen yang berfungsi untuk mengendalikan arus listrik dengan memberikan hambatan terhadap aliran arus dalam suatu rangkaian elektronika.
Cara membaca kode warna pada resistor :
Cara membaca kode warna pada resistor :
Tabel kode warna resistor :
Ground adalah sistem pentanahan yang berfungsi untuk meniadakan beda potensial sehingga jika ada kebocoran tegangan atau arus akan langsung dibuang ke bumi.
3. Power
Power adalah sebuah komponen elektronika yang berfungsi menghasilkan tegangan.
4. Voltmeter
Voltmeter adalah alat ukur yang digunakan untuk menentukan besaran tegangan listrik pada suatu elektronika atau rangkaian listrik dalam besaran tertentu. Voltmeter dipasang secara paralel pada ujung-ujung hambatan yang diukur beda potensialnya.
Amperemeter adalah alat ukur listrik yang digunakan untuk mengukur nilai arus listrik yang mengalir dalam suatu rangkaian listrik.
JFET adalah transistor efek medan gerbang persimpangan. Transistor normal adalah perangkat yang dikendalikan arus yang membutuhkan arus untuk biasing, sedangkan JFET adalah perangkat yang dikendalikan tegangan.
7. MOSFET N-Chanel
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET adalah inti dari sebuah IC ( integrated Circuit ) yang di desain dan di fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang sangat kecil.
Struktur N-Channel Mosfet atau disebut dengan NMOS terdiri dari subtract tipe P dengan daerah Source dan drain deberi difusi N+. Diantara daerah source dan drain terdapat sebuah celah sempit dari subtract P yang di sebut dengan channel yang di tutupi oleh isolator yang terbuat dari SiO2.
4.Dasar Teori[Back]
Secara umum, praktik desain yang baik untuk amplifier linier untuk memilih titik operasi yang tidak memenuhi wilayah tingkat saturasi (IDSS) atau batas (VP). Tingkat VGSQ yang mendekati VP / 2 atau IDQ di dekat IDSS / 2 tentunya merupakan titik awal yang masuk akal dalam desain. Tentu saja, dalam setiap prosedur desain tingkat maksimum ID dan VDS sebagai yang muncul di lembar spesifikasi tidak boleh dilampaui. Contoh yang harus diikuti memiliki orientasi desain atau sintesis di tingkat tertentu yang disediakan dan parameter jaringan seperti RD, RS, VDD, dan seterusnya, harus ditentukan. Bagaimanapun, pendekatan ini dalam banyak hal berlawanan dengan yang dijelaskan di bagian sebelumnya. Dalam beberapa kasus, ini hanya masalah penerapan hukum Ohm dalam bentuk yang sesuai. Secara khusus, jika tingkat resistif diminta, hasilnya sering diperoleh hanya dengan menerapkan hukum Ohm dalam bentuk berikut:
Dimana VR dan IR seringkali merupakan parameter yang dapat ditemukan langsung dari tingkat tegangan dan arus yang ditentukan.
5. Percobaan[Back]
A. Rangkaian Simulasi
Rangkaian 7.50
video rangkaian 7.50
Rangkaian 7.51
video rangkaian 7.51
Rangkaian 7.53
video rangkaian 7.53
Rangkaian 7.54
video rangkaian 7.54
6. Download File[Back]
- Download File HTML klik disini
- Download gambar rangkaian 7.50 klik disini
- Download gambar rangkaian 7.51 klik disini
- Download gambar rangkaian 7.53 klik disini
- Download gambar rangkaian 7.54 klik disini
- Video rangkaian 7.50 klik disini
- Video rangkaian 7.51 klik disini
- Video rangkaian 7.53 klik disini
- Video rangkaian 7.54 klik disini
- Download datasheet baterai klik disini
- Download datasheet reisitor klik disini
- Download datasheet voltmeter klik disini
- Download datasheet amperemeter klik disini
- Download datasheet transistor klik disini









Komentar
Posting Komentar